產(chǎn)品級(jí)可靠性
產(chǎn)品可靠性（Product Reliability, PDR）指封裝完后的芯片在規(guī)定條件下、規(guī)定時(shí)間產(chǎn)品的預(yù)期壽命內(nèi)，完成規(guī)定功能達(dá)到設(shè)計(jì)目的的能力。
芯片的使用壽命根據(jù)浴盆曲線（Bathtub Curve），分為三個(gè)階段，第一階段是初期失效： 一個(gè)高的失效率。由制造，設(shè)計(jì)等原因造成。
第二階段是本征失效：非常低的失效率，由器件的本征失效機(jī)制產(chǎn)生。第三個(gè)階段： 擊穿失效，一個(gè)高的失效率。
產(chǎn)品可靠性主要分為加速環(huán)境應(yīng)力測(cè)試、加速壽命模擬測(cè)試和電氣特性確認(rèn)測(cè)試。
1、加速環(huán)境應(yīng)力測(cè)試——主要考驗(yàn)產(chǎn)品封裝的可靠性
· PC(precondition)
評(píng)估芯片在包裝，運(yùn)輸，焊接過(guò)程中對(duì)溫度、濕度沖擊的抗性，僅對(duì)非封閉的封裝（塑封）約束。模擬焊接過(guò)程高溫產(chǎn)生內(nèi)部水汽對(duì)內(nèi)部電路的影響，是封裝可靠性測(cè)試前需要進(jìn)行的測(cè)試。
· HAST(Highly Accelerated Stress Test)
芯片長(zhǎng)期存儲(chǔ)條件下，高溫和時(shí)間對(duì)器件的影響。僅針對(duì)塑封，分為帶偏置（hast)和不帶偏置uhast的測(cè)試，UHAST需要提前PC處理。
· TC(temperature cycling)
檢測(cè)芯片是否會(huì)因?yàn)闊崞谑В琓C也需要提前PC處理。高低溫交替變化下機(jī)械應(yīng)力承受能力，可能導(dǎo)致芯片永久的電氣或物理特性變化。
· HTSL(High temperature storage life test）
長(zhǎng)期存儲(chǔ)條件下，高溫和時(shí)間對(duì)器件的影響，HTSL不需要做PC預(yù)處理。
2、加速壽命模擬測(cè)試——主要考驗(yàn)產(chǎn)品電氣可靠性
· HTOL(High Temperature Operation Life)
主要用于評(píng)估芯片的壽命和電路可靠性，可以用2種方式進(jìn)行測(cè)試：DFT測(cè)試模式和EVA板測(cè)試模式。
· ELFR(early fail)
早期壽命失效率，需要的樣本量比較大。
· EDR(nonvolatile memory write/erase endurance,data retention and operational life test)
非易失性存儲(chǔ)器耐久實(shí)驗(yàn)，僅針對(duì)包含該性能的芯片才需要驗(yàn)證。
3、魯棒性確認(rèn)測(cè)試——主要考驗(yàn)產(chǎn)品的抗靜電能力
· HBM(Human-Body Model)
模擬人體帶電接觸器件放電發(fā)生的靜電放電模型
· CDM(Charged Device Mode)
模擬器件在裝配、傳遞、測(cè)試、運(yùn)輸及存儲(chǔ)過(guò)程中帶電器件通過(guò)管腳與地接觸時(shí)，發(fā)生對(duì)地的靜電放電模型
· LU(latch up)
要是針對(duì)NMOS、CMOS、雙極工藝的集成電路。測(cè)試正/反向電流和電源電壓過(guò)壓是否會(huì)對(duì)芯片產(chǎn)生鎖定效應(yīng)的測(cè)試。